Ceramicforum的宽禁带半导体与玻璃溶解技术

公司名称

SiCrystal, Inc.

公司成立

1997年

总部地址

德国

公司简介

欧洲最大SiC单晶衬底生产商。德国于1994年以SiC单晶生长技术研发为由启动项目，在1997年正式法人化，并在2001年开始量产提供SiC衬底。历经2000年Siemens集团旗下Freitoronics公司的并购，于2009年成为ROHM株式会社集团的一员。以品质稳定为公司的哲理，成功构建了从SiC原料到衬底加工检查的一体化生产体制，并于1999年取得ISO9001国际标准。

公司名称

Norstel AB, Inc.

公司成立

2005年

总部地址

芬兰

公司简介

SiC研发领域持有很高的业绩，同时，该公司属于瑞典历史悠久的Linkoping大学的Spin out venture。目前属于欧洲最大的外延服务供应商。1993年开始，以瑞典历史悠久的Linkoping大学和ABB公司的SiC共同研究为基石，历经芬兰Si衬底厂家Okmetic公司的并购，于2005年独立。拥有SiC量产适用外延炉和研发适用片式外延炉及多种测试评价设备，已构建成可以对应大批量生产的体制。

公司名称

Ascatron, Inc.

公司成立

2011年

总部地址

瑞典

公司简介

2011年成立，专门从事外延服务、功率器件设计、封装等一系列工序的代加工厂。

该公司属于瑞典国营研发机构（ACREO）的Spin Out Venture企业，于1993年在该机构从事SiC研究开发。以根据大量的研发经验独创的Knowhow，提供独一无二的3DSiC外延服务、功率器件设计、工程技术等技术服务。

公司名称

Ammono, Inc.

公司成立

1999年

总部地址

波兰

公司简介

欧洲No.1的GaN独立衬底厂家。该公司生产的GaN衬底被誉为世界最高品质。1999年以波兰University of Warsaw的1992年GaN单晶研究开发项目为基础成立的GaN衬底专门厂家。2012年6月开始提供最大口径2英寸的c面、m面、a面、半极性面的产品。

公司名称

NovaSiC

公司成立

1995年

总部地址

法国

公司简介

该公司在SiC GaN 等尖端材料领域的研磨加工技术属于欧洲第一服务供应商。1995年公司成立以来一直负责法国、欧洲的尖端材料研发项目的研磨任务。同时也从事Wafer厂家的研磨服务，所以在加工业绩以及研磨总数量上属于世界屈指可数的研磨加工厂家。
另外，与法国研发机构CREHEA-CNRS合作研发外延技术，不只可以提供4H，还可以提供3C外延，成为为数不多的厂家之一。CMP的评价多数需要在外延成膜后才可进行，该司拥有可以提供从研磨至评价一站式服务的强项。

公司名称

HZDR Innovation GmbH

公司成立

2011年

总部地址

德国

公司简介

该司为德国屈指可数的R＆D机构，属于Helmholtz-Zentrum 的Dresden研究所的Spin OutVenture企业。公司成立目的为使用该研究所的世界最高能量离子注入设备，向业内提供服务。现在以欧洲为中心，向13个国家的企业、研发机构提供离子注入服务。离子注入设备包括2MV，3MV,6MV、覆盖岑面很广，研发至量产等领域均可用到。

公司名称

mi2-factory GmbH

公司成立

2016年

总部地址

德国

公司简介

德国Jena大学的Spin-out-venture企业，由当时参加2012年该大学的能量过滤器离子注入控制研发项目的教授、研发人员等人员于2016年成立的start up venture。同时与欧洲内多家离子注入服务公司合作，正加速针对SiCDevice研发相关的新技术研发。

公司名称

Seen Semiconductors Ltd.

公司成立

2011年

总部地址

波兰

公司简介

该公司为波兰科学大学高压物理学研究所（Unipress）的Spin-out企业，不只局限于GaN、InP, GaAs, AlGaN, AlN 等Ⅲ-Ⅴ族的外延生长也十分擅长 。拥有从少量到复杂结构案件均可对应的灵活性特点。

公司名称

Phystech GmbH

公司成立

1990年

总部地址

德国

公司简介

发源于德国Kassel工科大学的DLTS测量装置专业厂家。成功开发出目前在流通的DLTS系统中唯一一款数码对应设备，同时也是世界最普及DLTS系统DL-8000的研发厂家（经销商BIO-RAD）。2016年推出的FT-1230与其他竞争对手的产品相比，拥有更多的测量模式，可对应任何材料及研发人员的需求，属于一款独一无二的扩展性极好的系统。