Ceramicforum的宽禁带半导体与玻璃溶解技术

03-5577-2947
平日: 9:30~18:00

离子注入服务

离子注入服务特长

提供以硅为中心的SiC、GaN、GaAs等衬底的离子注入服务。最大的特征就是高能量离子注入,使用6MV的注入设备,可实现50MeV超的离子注入。应用于使用H,He等轻元素的Lifetime控制、使用B,P,As的参杂、电界控制等多种领域。在功率器件注入方面也有很多业绩。可以提供世界最高能量离子注入服务,可实现一般离子注入设备所实现不了的SiC10um深的离子注入。

弊司提供的离子注入服务供应厂商是HZDR Innovation GmbH,该司为世界屈指可数的高能量离子注入服务公司。

イオン注入サービスの特長

产品厂家介绍

HZDR社(ドイツ)

HZDR Innovation 公司(德国、Dresden)

该司为德国屈指可数的R&D机构,属于Helmholtz-Zentrum 的Dresden研究所的Spin OutVenture企业。公司成立目的为使用该研究所的世界最高能量离子注入设备,向业内提供服务。现在以欧洲为中心,向13个国家的企业、研发机构提供离子注入服务。离子注入设备包括2MV,3MV,6MV、覆盖岑面很广,研发至量产等领域均可用到。

应用案例

1.Si衬底注入H, He的Lifetime控制 (功率器件用途)

2.SiC注入氮、铝、boron等元素,深度~10μm以上(功率器件用途)
 
 
联系我们
电话
03-5577-2947
平日: 9:30~18:00