ガラス製造技術とワイドギャップ半導体のセラミックフォーラム

欧州最大のSiC単結晶ウエハメーカー。ドイツが1994年にスタートさせたSiC単結晶成長技術開発プロジェクトを礎として、1997年に設立され、2001年よりSiCウエハの量産、供給を開始しております。2000年にはSiemensグループのFreitoronicsとの合併を経て、2009年よりローム(株)グループの1社となりました。
「品質の安定」を会社哲学とし、SiC原料から結晶成長～ウエハ加工～検査までのウエハ一貫生産体制を築き、ISO9001を1999年に取得しております。

2012年にGaNのエピファウンドリとして設立されました。中国、米国、日本など200件以上の特許出願を行い、66件の特許が付与され、imecからは特許ライセンスを80件取得。また、GaNエピ材料の設計および製造のためISO9001:2015証明書を取得しております。
同社のコア技術チームのメンバーは全員GaN業界で10年以上の経験を持っており、高品質で平坦、クラックのないエピ構造のための基板エンジニアリング、バッファ設計、活性領域の最適化をカバーする特許技術を強みとしています。
また、Si・ SiC・GaN・Sapphireなど様々なベース基板へのエピ成長が可能です。

エピタキシーから、デバイス設計～パッケージまでの工程を手がける、2011年設立のSiC専門ファブ。
スウェーデンの国営研究機関（ACREO）からのスピンアウトベンチャーであり、同研究機関にて、1993年からSiCの研究開発を行っておりました。
数多くの開発実績をもとにした独自ノウハウによる、3DSiCエピタキシャル構造や、デバイス設計、プロセス技術等の同社でしか提供のできないノウハウと技術を提供しております。

欧州No.1のGaN自立基板メーカー。同社の製造するGaNウエハは世界最高品質と評価されております。
1992年にポーランド、ワルシャワ大学にてスタートしたGaN単結晶研究開発プロジェクトを基にしており、1999年にGaN基板専門メーカーとして設立されました。2023年現在はポーランドの研究機関であるInstitute of High Pressure Physics（Unipress）の一部となり、研究開発に力を注いでいます。
最大口径2インチ、c面のほかに、m面、a面、半極性面を製品ラインナップしております。

SiC GaN などの先端材料の研磨加工における、欧州一のサービスプロバイダー。1995年に設立後、一貫して、フランス、欧州の先端材料研究プロジェクトにおいて研磨開発の担当を担ってきました。ウエハメーカーの研磨受託もおこなっており、加工実績、通算研磨枚数における世界有数の研磨加工メーカーでもあります。
また、フランスの研究機関であるCREHEA-CNRSとの共同開発によりエピ技術も有しており、4Hのみではなく3Cエピの提供ができる数少ないメーカーになります。CMPの評価は、エピを成膜してみないとわからないケースが多く、研磨から評価を自社内で完結できるという強みがあります。

1999年に設立されたIn-situエピタキシャルセンサー分野のリーディングカンパニーです。2009年から3年連続でドイツで最も急成長しているテクノロジー企業50社の1つにランクインし、2011年にはORS（Optical Reference Systems）を子会社化、同社の技術をさらに躍進させました。
現在、世界中に2500以上の計測システムを設置しており、その75％がアジア、10％が北米、15％がヨーロッパにあります。

ドイツ有数のR＆D機関である、Helmholtz-Zentrum のDresden 研究所からのスピンアウトベンチャー。同研究機関の保有する世界最高エネルギーイオン注入機を用いて、産業界に貢献する目的で設立。現在では欧米を中心に13カ国にわたる製造企業、研究機関へ注入サービスを提供しております。 同社の保有する注入設備は、2MV, 3MV, 6MVがあり、研究開発から量産用途まで幅広い用途で使われております。

ドイツ、Jena大学からのスピンアウトベンチャー。2012年にスタートした、同大学での「エネルギーフィルターを用いたイオン注入制御の開発プロジェクト」に参加していた教授、研究者を中心に、2016年に設立したスタートアップベンチャー。欧州内のイオン注入サービス会社数社と提携し、SiCデバイス開発における新しい技術スタンダードとなるべく、開発を加速しております。

ポーランド科学アカデミー高圧物理学研究所（Unipress）よりスピンアウト（2011年）した企業で、GaNに限らずInP, GaAs, AlGaN, AlN などのⅢ-Ⅴ属のエピタキシャル成長を得意としております。少量から複雑な構造のご注文にも対応できる柔軟性の高さを特徴としております。

ドイツのKassel工科大学発のDLTS測定装置の専業メーカー。現在、販売されているDLTSシステムの中で唯一のデジタル方式の開発に成功し、世界で最も普及したDLTS測定システム、DL-8000を開発したメーカーです（販売元 BIO-RAD)。2016年にリリースしたFT-1230 は、競合他社製品に比べて、最も多彩な測定モードを備え、どのような材料にも、研究者のいかなる要望にも答えられる拡張性を持った唯一無二のシステムとなっています。

2007年に蘇州（中国）で設立された、高品質のGaN導体材料を製造する、技術開発に特化したハイテク企業です。窒化物に関する豊富な専門知識と特許を持ち、高品質な窒化物半導体を製造しています。また、通信や再生可能エネルギー分野へ窒化物半導体の産業への応用を積極的に推進しています。

2015年4月に設立されたハイテク企業で、半導体業界向けに手頃な価格で生産できる大型高品質のGaNウェハの育成に注力しています。GaNウェハの製造方法として、自社開発のHVPEを採用しているのも同社の大きな特徴です。

米国に本拠を置く同社は、次世代の高出力および高性能LEDおよびレーザーダイオードを可能にする、サファイア上の半極性GaN材料を開発するために、2014年にイェール大学に設立されました。
ディスプレイおよび照明業界のお客様向けに、次世代光源を開発および製造しています。半極性GaNの持つ特色を最大限に活かし、従来のLEDのみならず、次世代Micro LEDにも適用できる技術の開発に積極的に取り組んでいます。

1977年に設立され、カリフォルニア州フリーモントに本社を置くAehr社は、バーンイン、ロジック、光化学、メモリ集積回路等に関するテストシステムの世界的なプロバイダーです。同社のシステムは世界中でインストールされており、その数は優に2500を超えています。
自動車とモビリティ集積回路市場における品質と信頼性のニーズの高まりにより、同社システムへの需要も増大しています。