ワイドギャップ半導体
ワイドギャップ半導体
バンドギャップの大きい半導体を指し、広禁制帯幅、高絶縁破壊電界、高飽和電子速度、高熱伝導度などの優れた物性を持ちます。
これらの特長により、高耐圧デバイス、高周波高出力デバイスなど、既存の主流半導体であるSi （シリコン）やGaAs（ガリウムヒ素）では、物性的限界のために実現出来なかった領域で動作する、次世代デバイス半導体として注目されています。
ワイドギャップ半導体は、昨今の世界的、社会的キーワードである「省エネ」「CO2排出削減」への有力な解とされている電気自動車、LED、太陽電池等を含めた新エネルギー、スマートグリッド中心とした新ネットワークインフラへの適用が期待されており、現在大きな注目を集めています。
一般に、ワイドギャップ半導体は、その高いポテンシャルに相反して、高品質の結晶を得ることが非常に難しいという側面を持つので、SiCのように量産化の進んだものから、ダイヤモンドのように開発途上のものまで様々です。
これらの特長により、高耐圧デバイス、高周波高出力デバイスなど、既存の主流半導体であるSi （シリコン）やGaAs（ガリウムヒ素）では、物性的限界のために実現出来なかった領域で動作する、次世代デバイス半導体として注目されています。
ワイドギャップ半導体は、昨今の世界的、社会的キーワードである「省エネ」「CO2排出削減」への有力な解とされている電気自動車、LED、太陽電池等を含めた新エネルギー、スマートグリッド中心とした新ネットワークインフラへの適用が期待されており、現在大きな注目を集めています。
一般に、ワイドギャップ半導体は、その高いポテンシャルに相反して、高品質の結晶を得ることが非常に難しいという側面を持つので、SiCのように量産化の進んだものから、ダイヤモンドのように開発途上のものまで様々です。
ワイドギャップ半導体の主な種類
1. SiC（シリコンカーバイト）
2. GaN (窒化ガリウム）
3. AlN (窒化アルミニウム）
4. Diamond (ダイヤモンド）
5. ZnO (酸化亜鉛）
6. BN (窒化ホウ素）
2011年8月現在、セラミックフォーラムでは、量産実績を積んだ、信頼性の高いSiC、GaN 半導体を扱っております。
