ガラス製造技術とワイドギャップ半導体のセラミックフォーラム

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Ammono GaN 単結晶基板

GaN 単結晶基板

セラミックフォーラムは、2011年よりAmmono GaN単結晶基板の取り扱いを開始しました。

高いキャリア濃度を持つGaNは、当初のレーザーダイオードとしての利用から、高効率のパワーデバイス(HEMTトランジスタ・ダイオードなど)の開発へと移行しており、需要も増加しています。
Ammono GaN単結晶基板はアモノサーマル法によって製造され、転位密度(〜x10e4台)と、他の製品と比べ二桁ほど低いという特長を持ちます。

取り扱いサイズ:10mm角・1インチ・2インチ
面方位 :C面
導電型 :n型
※半絶縁・p型にも相談に応じます


また、セラミックフォーラムは、Nanowin社のGaN単結晶基板も取り扱っています。
Nanowin社のGaN単結晶基板は、ハイドライド気相成長法(HVPE)を用いて製造され、細かな仕様に対応できる多様な品目を取り揃えています。

取扱品目:
C面  :10×10.5mm2・2インチ・4インチ
非極性面:5〜10×10mm2・5〜10×20mm2
半極性面:5〜10×10mm2・5〜10×20mm2
導電型・n型・半絶縁
 

使用例

  • ディスプレイ(Laser テレビ、プロジェクター)
  • 照明(白色LED、UV LED)
  • 省エネデバイス(高効率、高耐圧、高温動作デバイス)
  • 記憶装置(青色レーザーダイオード)
  • 無線システム(高周波デバイス)

仕様

High-carrier-concentration n-type GaN substrates

Features Units ORIENTATION
c-plane m-plane 20-21-plane
Carrier concentration cm-3 ~10-19
Resistivity Ω・cm 10-3ー10-3
Mobility cm2/V・s ~10-19
Thickness μm On demand < 1mm
Total thickness variation(TTV) μm < 40 ~ 20 ~ 20
Bow μm ≦ 10
FWHM of X-ray rocking curve,(epi-ready surface at 100 μm × 100μm slit) arcsec ~ 20 ~ 30 ~ 20
Dislocation density cm-2 ~5・104
Misorientation deg On demand
Surface finishing   As cut / ground
Roughly polished
Optically polished (RMS ≦ 3nm)
Epi-ready (RMS ≦ 0.5nm)
Available sizes   10 × 10mm
1N
9 × 13mm
13 × 15mm
10 × 10mm
13 × 15mm
Packaging   Separate single wafer container
Special Order Option   Please, contact Sales Department
High-carrier-concentration n-type GaN substrates

High Transparency n-type Gan Substrates Other semi-polar orientation available on request

Features Units ORIENTATION
c-plane
Carrier concentration cm-3 ~3・10-17
Resistivity Ω・cm < 0.5
Mobility cm2/V・s ~250
Thickness μm ≥300
Total thickness variation(TTV) μm ~20
Bow μm ≤10
FWHM of X-ray rocking curve,(epi-ready surface at 100 μm × 100μm slit) arcsec ~20
Dislocation density cm-2 ~5・104
Misorientation deg On demand
Surface finishing   As cut / ground
Roughly polished
Optically polished (RMS < 3nm)
Epi-ready (RMS < 0.5nm)
Available sizes   10 × 10mm2, 1N
Packaging   Separate single wafer container
Special Order Option   Please, contact Sales Department
High Transparency n-type Gan Substrates Other semi-polar orientation available on request

Ultra High Resistivity Semi-Insulating GaN substrates

Features Units ORIENTATION
c-plane
Carrier concentration cm-3 -
Resistivity Ω・cm 109-1012
Mobility cm2/V・s -
Thickness μm ≥300
Total thickness variation(TTV) μm <40
Bow μm ≤10
FWHM of X-ray rocking curve,(epi-ready surface at 100 μm × 100μm slit) arcsec ~20
Dislocation density cm-2 ~5・104
Misorientation deg On demand
Surface finishing   As cut / ground
Roughly polished
Optically polished (RMS < 3nm)
Epi-ready (RMS < 0.5nm)
Available sizes   10 × 10mm2, 1.5N
Packaging   Separate single wafer container
Special Order Option   Please, contact Sales Department
Ultra High Resistivity Semi-Insulating GaN substrates

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製品メーカー案内

Ammono社(ポーランド)

Ammono社(ポーランド)

1992年にワルシャワ大学にてスタートしたGaN単結晶研究開発プロジェクトを基にして、1999年にGaN単結晶基板専門メーカーとして設立された。アモノサーマル法で高品質の単結晶基板を製造する、優れた技術を持っている。現在はポーランド高圧物理学研究所の一部となり、研究開発に力を注いでいる。

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