陷阱参数（能级和俘获截面）的评估
SHR（Shockley-Read-Hall）统计2,3)描述了半导体深层级与频带之间的载流子交换。
从能级与能带之间的基本过程的详细平衡法则，电子从电子陷阱能级到导带的热发射率：eΤ（前文τe的倒数）由下式表示。
NC：导带的有效状态密度 σ C：俘获截面 νth：热速率 g：能级的简并度
MC :形状因子 mr：电子の有效质量 m0：电子の静止质量 h：普兰克常数
从式（A-8）～（A-10）可得
通过取等式两边的对数，可得用作求得活化能的阿列纽斯曲线的基本方程(A-11)。
通过对各种温度下 τe 的测量，并考虑到其对温度的依存关系乘以 Τ2 得到 τeΤ2 ，通过绘制相对于1/T的半对数曲线图(阿列纽斯曲线)，从其直线的斜率可以得到能级的能量 ΕT ，从截距可以求得俘获截面。
（严格来讲，这里得到的俘获截面是包含能级的简并因子 σn,eff = gσc 的有效俘获截面。而“脉冲填充方法”(Pulse filling)是一种作为独立确定俘获截面的方法。）
在上一节的DLTS频谱测量中（图A-4），对于某个深能级，已经求出其热发射时间常数变为特定值（ τe ）的温度。
用DLTS方法进行这种测量，通过不同的 t1 以及 t2 的组合，从而获得对应于另一个 τe 的温度：（Tmax）。
因此，例如通过重复这样的测量5次，就可以绘制出阿列纽斯曲线图中的5个数据点。
● 参考文献
2) W. Shockley and W.T. Read, Phys. Rev. 87, 835 (1952).
3) R. N. Hall, Phys. Rev. 87, 387 (1952).