Ceramicforum的宽禁带半导体与玻璃溶解技术

03-5577-2947
平日: 9:30~18:00

半导体部门

半导体部门特长

弊司广泛提供持有超越硅半导体可能性的第三代宽禁带半导体产品及服务。
宽禁带半导体有望搭载于2020年后投入市场的电机机器、工业机器、汽车等领域,相关研发也处于高速发展阶段。弊司半导体部门专业提供多种多样支撑相关研究研发所需要的产品及技术服务。
弊司半导体部门提供支撑宽禁带半导体研发所需要的多种多样的产品及技术。




何为宽禁带半导体

宽禁带半导体是指禁带宽的半导体,该半导体持有宽禁制带幅、高绝缘破坏电界、高饱和电子速度、高导热等优秀物性。

根据这些特长,在现有主流Si或GaAs半导体因物性瓶颈所无法发挥的高耐压功率器件、高频高输出器件等领域发挥作用,作为第三代器件半导体备受瞩目。

ワイドギャップ半導体

宽禁带半导体被视为节能减排的有力答案,在包括电动汽车、LED、太阳能电池等新能源、智能电网中心的新网络建设中备受瞩目。作为备受瞩目的宽禁带半导体,同时持有很难得到高品质晶圆的负面因素。材料包括已经量产的SiC,也有研发阶段的金刚石,种类繁多。

宽禁带半导体的各种产品・服务

SiC(碳化硅)

SiC 导电型单晶衬底 (SiCrystal)
SiC 导电型单晶衬底 (Norstel
・SiC 半绝缘型单晶衬底
・SiC 外延服务
・SiC 离子注入服务
・SiC 宝石用结晶
・SiC 器件代工

GaN(氮化镓)

・GaN 单晶衬底
・GaN 外延服务

检测设备

  • DLTS系统
  • 拉曼显微镜
  • PL Mapping设备
  • 宽禁带晶片检测设备

DLTS系统服务

提供宽禁带半导体相关的分析及模拟服务。

详细

联系我们
电话
03-5577-2947
平日: 9:30~18:00