Ceramicforum的宽禁带半导体与玻璃溶解技术

03-5577-2947
平日: 9:30~18:00

SiC功率器件代工

SiC器件代加工服务的特长

Ascatron公司提供SiC功率器件研发相关的整体方案服务。从SiC器件的设计阶段开始、到试产→评价→小规模量产→大规模量产的各个阶段,可以提供最合适客户的方案。在瑞典王立电子研究所内拥有1300㎡的无尘车间,试产口径至150mm衬底的外延、器件。

从1994年的4.5KV的PiN-Diode发表开始,特别在耐高压功率器件领域拥有丰富的研发业绩,SiC-p领域嵌入型Diode、SiC-IGBT、SiC-SJ型MOSFET等,可以按照客户的要求研发、试产。另外,同时提供外延嵌入、沟槽层形成、热处理、SJ结构形成等单一特定工序的代工服务。

エピ製膜サービス

产品厂家介绍

スウェーデン Ascatron社

Ascatron公司(瑞典)

2011年成立,专门从事外延服务、功率器件设计、封装等一系列工序的代加工厂。
该公司属于瑞典国营研发机构(ACREO)的Spin Out Venture企业,于1993年在该机构从事SiC研究开发。以根据大量的研发经验独创的Knowhow,提供独一无二的3DSiC外延服务、功率器件设计、工程技术等技术服务。

SiC器件工程服务


1.SiC器件代工研发(设计到试产评价)

2.工序内SiC外延(嵌入外延、多层pn结成膜等)

3.沟槽结构形成(深10μm*宽2μm的沟槽结构、无空隙再生长)

4.氧化膜形成(蒸镀和高温退火的组合)

5.金属膜形成(各种种类的金属层+保护层的形成)



Ascatron公司 持有设备(一部分)

Kista 工厂


  • Epitaxy – 3 hot-wall SiC CVD reactors
  • Lithography – 0.5 µm stepper
  • Dielectrics – Thermal, LTO, PECVD, ALD
  • Implantation – Al, B, N, P – 650 keV
  • Metals – Ti, TiW, Al, Au, Pt, Ni, & silicides
  • Anneal – RTA, high temp furnace (1900°C)
  • Etching – ICP, RIE
  • Post Process – dicing & wire bonding
  • Metrology & Electrical characterisation
联系我们
电话
03-5577-2947
平日: 9:30~18:00