ECSCRM 2018 に出展致します (09/02/2018〜09/06/2018)
ECSCRM2018出展のお知らせ
2018年09月02日から開催される、ECSCRM 2018 に出展いたします。
ECSCRMは2年に一度ヨーロッパで開催されるSiCを中心としたワイドギャップ半導体の研究会です。
国際会議ICSCRMと交互に開かれます。
今年は下記を中心に出展する予定です。
A) 結晶内歪観察装置CS1： SiC、GaN、AlNなどワイドギャップ一軸性単結晶ウエハ内全面の結晶歪を透過光で観察する検査装置
B) CS1の次機種CP1： SiC単結晶中の貫通転位(TSD, TED)を非破壊非接触で識別する光学検査装置
C) DLTS受託測定サービス
D) Phystech社製DLTS測定システム
また、研究会では下記のポスター発表を行います：
1) CS1: Fine structure Analysis of Nitrogen Density Distribution in 4H-SiC substrate (R. Hattori)
2) CP1: Optical discrimination of TSDs and TEDs in 4H-SiC epitaxial layer by phase contrast microscopy method (R. Hattori)
3) Characterization of near interface oxide traps with isothermal constant-capacitance deep-level transient spectroscopy (H. Okada)
ご興味のある方はこちらのページへどうぞ
是非来場の際には当社ブースへお立ち寄りください。よろしくお願いいたします。
展示会情報：
展示会名: ECSCRM 2018
会場：International Conference Centre, Broad Street, Birmingham B1 2EA
ブース番号：B36
期間：09/02/2018〜09/06/2018
Website: https://warwick.ac.uk/fac/sci/eng/ecscrm2018/fac/sci/eng/ecscrm2018/