Nanowin社製HVPE-GaN基板
GaN 単結晶基板
Nanowin社製GaN単結晶基板（HVPE法）
2016年よりNanowin社のGaN単結晶基板の取り扱いを開始しました。
Nanowin社のGaN単結晶基板は、ハイドライド気相成長法（HVPE）を用いて製造され、細かな仕様に対応できる多様な品目を取り揃えています。
取扱品目：
C面 ：10×10.5mm2・2インチ・4インチ
非極性面：5〜10×10mm2・5〜10×20mm2
半極性面：5〜10×10mm2・5〜10×20mm2
導電型・n型・半絶縁
2016年よりNanowin社のGaN単結晶基板の取り扱いを開始しました。
Nanowin社のGaN単結晶基板は、ハイドライド気相成長法（HVPE）を用いて製造され、細かな仕様に対応できる多様な品目を取り揃えています。
取扱品目：
C面 ：10×10.5mm2・2インチ・4インチ
非極性面：5〜10×10mm2・5〜10×20mm2
半極性面：5〜10×10mm2・5〜10×20mm2
導電型・n型・半絶縁
使用例
- ディスプレイ（Laser テレビ、プロジェクター）
- 照明（白色LED、UV LED）
- 省エネデバイス（高効率、高耐圧、高温動作デバイス）
- 記憶装置（青色レーザーダイオード）
- 無線システム（高周波デバイス）
仕様
Nanowin社製（HVPE法）の詳細に関しては気軽にお問い合わせください。関連製品／サービス
製品メーカー案内
Nanowin社（中国）
Nanowin Science and Technology Co, Ltd.（Nanowin）は、2007年に蘇州（中国）に設立された。高品質の窒化物半導体材料を製造する技術開発に特化したハイテク企業です。