ガラス製造技術とワイドギャップ半導体のセラミックフォーラム

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SiC(シリコンカーバイト=炭化ケイ素)

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セラミックフォーラムでは、欧州リーディングメーカーによる最先端のSiC製品を、多彩な要望に応えられるように豊富な仕様で安定的に供給できるような協力関係をもって、提供しています。

セラミックフォーラムでは、GaN・AlNも取り扱っています。詳しくはこちら

SiC バルクウエハ
(Norstel / SiCrystal)

次世代型パワーデバイス用のウエハとして利用が拡大しているSiC バルクウエハ。昇華法で製造される、信頼性の高い製品を提供しています。
セラミックフォーラムでは、デバイス量産用の厳しい品質検査をクリアしたSiCバルクウエハを提供しています。

半絶縁性 SiC ウエハ

次世代の携帯電話用基地局、レーダーなどの高周波デバイスのウエハとして用いられる半絶縁性 SiC ウエハ。高温CVD法で製造された低欠陥・高純度の製品を提供しています。

フィルター式イオン注入サービス

SiCにおけるエピキタシー層のドーピング制御を高精度にコントロールすることができる、エネルギーフィルターを用いたイオン注入サービスを提供しています。

SiCエピタキシー成膜サービス

SiC デバイスの性能向上に欠かせないキーポイントとなる、SiCエピタキシーの受託成膜サービスを提供しています。n型やp型、600Vから10KVを超える超高耐圧デバイス用エピキタシーなど、多くの仕様に対応しています。

イオン注入サービス

パワーデバイス用のイオン注入に必要とされる高エネルギー(〜50MeV)でのイオン注入サービスを提供しています。SiC、GaN、GaAsなどの基板に対応しています。

SiCパワーデバイス開発・試作サービス

高耐圧パワーデバイスをメインとした豊富な開発実績をもとに、SiC パワーデバイスの設計・試作・評価・パイロット量産・大規模量産の各段階に合わせたサービスを提供しています。

当社サービスに関するこんなお悩み・ご相談お待ちしております!
  • SiCやGaN などのワイドギャップ半導体に関して質問がある
  • SiCやGaN ウエハに成膜するエピの仕様を決めたい
  • DLTSの測定に関して詳細を知りたい
  • 結晶評価を行いたい
  • ガラスの分析に関して知りたいことがある
  • ガラス溶解炉の生産性向上のための施策を知りたい
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