セラミックフォーラムは、2011年よりNorstel社製の半絶縁性SiC ウエハの取扱いを開始しました。同社の半絶縁性SiC ウエハは、高温CVD成長法(HTCVD)で製造されており、昇華法で製造されているウエハに比べて、以下のような特徴があります。
・低欠陥(低MPD、TSD)
・高抵抗かつ、ウエハ面内における高い低効率均一性
・高純度
基本的にはこれらのウエハはオンアクシスでの提供となります。
Norstel社の半絶縁性ウエハはヨーロッパの研究開発プロジェクトKorriganなどで使用され、その品質の高さが好評です。
半絶縁SiCウエハ以外に、弊社はNorstel社製SiCウエハとSi-Crystal社製SiCウエハを取り扱っております。ご興味のある方は、ぜひそちらのページもご覧ください。
SiC 半絶縁性ウエハは、高周波デバイス(窒化ガリウムHEMT)用のベース基板として広く適用されております。携帯電話基地局の送信用増幅器、軍事用レーダなどに多く用いられ、ここ数年着実に使用量が増えてきております。今後は、自動車用レーダ、大容量データ送信などへの適用が期待されております。