SiC 半絶縁ウエハ
SiC 半絶縁性 ウエハの特長
セラミックフォーラムは、2011年よりNorstel社製の半絶縁性SiC ウエハの取扱いを開始しました。同社の半絶縁性SiC ウエハは、高温CVD成長法（HTCVD）で製造されており、昇華法で製造されているウエハに比べて、以下のような特徴があります。
・低欠陥（低MPD、TSD）
・高抵抗かつ、ウエハ面内における高い低効率均一性
・高純度
SiC 半絶縁性ウエハは、高周波デバイス（窒化ガリウムHEMT）用のベース基板として広く適用されております。携帯電話基地局の送信用増幅器、軍事用レーダなどに多く用いられ、ここ数年着実に使用量が増えてきております。今後は、自動車用レーダ、大容量データ送信などへの適用が期待されております。
製品メーカー案内
Norstel社（スウェーデン）
SiC 研究において高い実績と歴史を誇るスウェーデンのリンチョピン大学からのスピンアウトベンチャー。現状、欧州最大のエピサービス供給会社。1993年より開始された、スウェーデンLinkoping大学とABB社のSiC共同研究を礎として、フィンランドのSiウエハメーカー、Okmetic社傘下を経て、2005年に独立。量産用SiCエピ炉と研究開発用枚葉式エピ炉の他、数多くの評価装置を有し、大量生産に対応した体制を築き上げております。
応用例
- 携帯電基地局用の送信増幅器（LTE用基地局、Wi-Max用基地局、5G用基地局など）
- 軍事用デバイス（レーダ、ミサイル用方向指示など）
- 高速データ通信（ブロードバンド放送、衛生データ送信）
- グラフェン成長用ベース基板
仕様
