ガラス製造技術とワイドギャップ半導体のセラミックフォーラム

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半絶縁性 SiC ウエハ

Norstel社の半絶縁性 SiC ウエハ

セラミックフォーラムは、2011年よりNorstel社製の半絶縁性 SiC ウエハの取扱いを開始しました。

Norstel社の半絶縁性 SiC ウエハは、高温CVD法(HTCVD)で製造されており、昇華法で製造されているウエハに比べて、以下のような特徴があります。
・低欠陥(低MPD、TSD)
・高抵抗かつ、ウエハ面内における高い抵抗率均一性
・高純度
基本的にはこれらのウエハはon-axisでの提供となります。

Norstel社の半絶縁性 SiC ウエハは、品質の高さが評価され、ヨーロッパの研究開発プロジェクトKorriganなどでも使用されました。

半絶縁SiC基板

SiC 半絶縁性 ウエハの特長

半絶縁性 SiC ウエハは、高周波デバイス(窒化ガリウムHEMT)用のベース基板として広く適用されています。
携帯電話基地局の送信用増幅器、軍事用レーダーなどに多く用いられ、着実に使用量が増えており、自動車用レーダーや大容量データ送信などへの適用が期待されています。

応用例

  • 携帯電基地局用の送信増幅器(LTE用基地局、Wi-Max用基地局、5G用基地局など)
  • 軍事用デバイス(レーダー、ミサイル用方向指示など)
  • 高速データ通信(ブロードバンド放送、衛生データ送信)
  • グラフェン成長用ベース基板

関連製品/サービス

製品メーカー案内

スウェーデン Norstel社

Norstel社(スウェーデン)

SiC 研究において高い実績と歴史を誇るスウェーデンのLinkoping(リンチョピン)大学からのスピンアウトベンチャー。欧州最大のエピサービス供給会社。1993年より開始された、Linkoping大学とABB社のSiC共同研究を礎として、フィンランドのSiウエハメーカーOkmetic社傘下を経て、2005年に独立。
量産用SiCエピ炉と研究開発用枚葉式エピ炉の他、数多くの評価装置を有し、大量生産に対応した体制を築き上げている。2019年にST-Micro社の傘下となっている。

 
 
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