ガラス製造技術とワイドギャップ半導体のセラミックフォーラム

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窒化物半導体 (GaN/AlN)

GaN(ガリウムナイトライド)とAlN(アルミニウムナイトライド)は、次世代半導体の代表格ともいえる材料です。SiC (シリコンカーバイド)と並び、パワーデバイスに適した物理特性(高絶縁耐圧と低導通抵抗)を持ち、大幅な機器の小型化・高効率化を実現できます。青色LED、レーザーダイオードを始めとした発光素子の主要材料として確固たる市場性を持つ一方、太陽電池や人工光合成などへの応用も期待される大きなポテンシャルをもつ材料です。

私たちはシリコンカーバイド半導体も取り扱っております。ご興味のある方は、ご確認ください。

GaN 単結晶基板

パワーデバイスの小型化・効率化を目指し採用が広がるGaN基板。旧Ammono社のアモノサーマル法による単結晶基板と、Nanowin社のHVPE法による単結晶基板を取り扱っています。
他品質・多彩な仕様を取り揃えています。

GaN エピキタシーサービス

Seen社の提供するGaNを初めとするAlInGaN・InAlGaAs・SiC・グラフェンなどに対応するエピキタシー成膜サービスです。
Seen社の低転位密度パラメータを実現できる技術で、多様なベース基板に対応した、高品質のサービスを提供します。

GaN/AlN テンプレート

GaN単結晶よりも低コストなため、研究・開発に多く用いられているGaN/AlNテンプレートを取り扱っています。膜厚均一性の高いNanowin社のGaN/AlNテンプレートを、小ロットからオーダーを受け付けています。

GaNエピウエハ

 SweGaN社の提供する、主に「光電子移動度トランジスタ(HEMT)」向けのエピウエハを取り扱っています。
QuanFINE™構造という独自のHEMTヘテロ構造により、現在のパワーデバイスが抱える困難への有効な解決策をご提案します。

半極性GaNエピテンプレート

当社サービスに関するこんなお悩み・ご相談お待ちしております!
  • SiCやGaN などのワイドギャップ半導体に関して質問がある
  • SiCやGaN ウエハに成膜するエピの仕様を決めたい
  • DLTSの測定に関して詳細を知りたい
  • 結晶評価を行いたい
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