ガラス製造技術とワイドギャップ半導体のセラミックフォーラム

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窒化物半導体 (GaN/AlN)

GaN(ガリウムナイトライド)とAlN(アルミニウムナイトライド)は、次世代半導体の中の代表格とも言えるマテリアルです。SiC (シリコンカーバイド)と並び、パワーデバイスに適した物理特性(高絶縁耐圧と低導通抵抗)を持ち、大幅な機器の小型化・高効率化を実現できます。青色LED、レーザーダイオードを始めとした発光素子の主要マテリアルとして、確固たる市場性を持つ一方、「太陽電池」、「人工光合成」などへの応用も期待される大きなポテンシャルをもつマテリアルです。

私たちはシリコンカーバイド半導体も取り扱っております。ご興味のある方は、ご確認ください。

GaN ウエハ

Ammono社(ポーランド)の単結晶GaN基板は、アモノサーマル製法による高品質基板で、HVPEなどの他製法のウエハよりも高い品質を誇ります。同時にセラミックフォーラムはNanowin社製のGaN基板も取り扱っております。

GaN エピサービス

Seen Semiconductor (ポーランド)の提供する成膜サービスです。GaNだけでなく、 AlInGaN, InAlGaAs, SiC, Graphene などの成膜も承ります。

GaN/AlN テンプレート

セラミックフォーラムは中国Nanowin社のガリウムナイトライドとアルミニウムナイトライドのテンプレートを取り扱っております。GaN単結晶基板よりもコストが低く、研究用の材料として有望視されております。

 

 

当社サービスに関するこんなお悩み・ご相談お待ちしております!
  • SiCやGaN などのワイドギャップ半導体に関して質問がある
  • SiCやGaN ウエハに成膜するエピの仕様を決めたい
  • DLTSの測定に関して詳細を知りたい
  • 結晶評価を行いたい
  • ガラスの分析に関して知りたいことがある
  • ガラス溶解炉の生産性向上のための施策を知りたい
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