ガラス製造技術とワイドギャップ半導体のセラミックフォーラム

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GaN エピキタシーサービス

Seen社のGaN エピキタシーサービス

セラミックフォーラムでは、2016年よりSeen社のGaNエピキタシーサービスの取り扱いを開始しました。

Seen社では、20年以上の経験を持った技術者により低転位密度(EPD)を誇るエピキタシーサービスを実現しています。GaNではn型と半絶縁型(抵抗率109〜1012Ωcm2)で、転位密度104/cm2のサービスを提供することができます。

GaN自立基板・サファイヤ・Si・SiC・InP・GaAsなど、さまざまな基板をベースとし、GaN・SiC・グラフェン・InAs・InPなど多様なエピキタシー層を成膜することができます。
C面だけでなく非極性面・半極性面への成膜も対応可能です。
GaN エピサービスの特長

対応可能なエピキタシー構造例

・GaNパワーデバイス(HEMT・Diode)
・GaN高周波デバイス(HEMT)
・グラフェン層 ・LED・レーザー
・VCSEL・バラクター
 など

仕様

仕様書については下記ページをご覧下さい

⇒ Seen Semiconductors社の製品ページ



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製品メーカー案内

Seen Semiconductors社(ポーランド)

Seen Semiconductor社(ポーランド)

ポーランド科学アカデミー高圧物理学研究所より2011年にスピンアウト。GaN・InP・GaAs・AlGaN・AlNなどのⅢ-Ⅴ属のエピタキシャル成長を得意としている。複雑な構造でも少量から対応できる柔軟性の高さも特長。


当社サービスに関するこんなお悩み・ご相談お待ちしております!
  • SiCやGaN などのワイドギャップ半導体に関して質問がある
  • SiCやGaN ウエハに成膜するエピの仕様を決めたい
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