ガラス製造技術とワイドギャップ半導体のセラミックフォーラム

セラミックフォーラムでは、2020年よりポーランドのUNIPRESS研究所（Institute of High Pressure Physics）社の高温高圧アニールサービスの取り扱いを開始しました。

高窒素圧力溶液（HNPS）法による窒化ガリウム（GaN）結晶成長のための高圧高温装置を用いて、超高圧アニーリング（UHPA）を行います。
垂直配置のガス圧力室（リアクター）には、黒鉛、窒化ホウ素またはアルミナるつぼを設置することが可能です。 窒素またはアルゴンでの最大ガス圧力は 2 GPa（20,000気圧）です。ガス圧反応器の内部には、2000 Kまでの温度に達するマルチゾーン円筒形黒鉛炉を設置することができます。
チャンバーには、真空中でのアニール、反応器の冷却、電子的な安定化、圧力と温度のプログラミングに必要な追加システムが装備されており、実験中の温度を監視するために、PtRh6%-PtRh30%熱電対を使用しております。
熱電対は炉に沿って配置され、入力電力制御電子システムと結合されております。圧力は、炉の低温ゾーンに配置されたマンガンゲージで測定され、圧力と温度はそれぞれ1MPaと0.1Kの精度で安定化されています。

-標準的な工程 試料（必要に応じて特別なキャップで覆われている）をるつぼに入れ、高圧反応器内の炉内で、所定の温度（500Kから2000Kまで）まで一定の速度（0.1K/hから1600K/hまで）で加熱できます。
次いで、設定された条件で高窒素圧力（1GPa以下）で0.1秒から1000時間の所定時間アニールを行い、その後、炉内を一定速度（最大200K/min）で冷却し、システムを減圧し、試料を取り出します。

最近2GPa圧力も実施できるようになっております。是非お問い合わせください。