ガラス製造技術とワイドギャップ半導体のセラミックフォーラム

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半極性GaNエピテンプレート

半極性GaN材料

セラミックフォーラムは、Saphlux社の提供する、半極性GaNエピテンプレートを取り扱っています。

半極性ガリウムナイトライド(GaN)材料は、分極電界とブルーシフトの低減により、第1世代のGaN材料が抱えていた長年の課題に対処することができます。効率の低下は、InGaN活性領域の体積を増やすことで抑制できます。量子閉じ込めシュタルク効果(QCSE)は、分極電界の低減により解消されます。半極性材料は、ダイレクトグリーンレーザーのような高効率の長波長デバイスの実現にも応用されています。

従来の半極性材料の生産上の困難を克服するため、Saphlux社では革新的な配向制御エピタキシー(OCE)法を用いて、標準的なサファイアウエハの上に半極性GaN材料を選択的に直接成長させています。トレンチエッチングした基板の側壁にGaNのc面を斜めに成長させることで、積層欠陥の極端に少ない半極性GaNを作り出すことができ、また大量生産も可能になります。

Saphlux社が近年これらの材料の大量生産に成功したことで、従来のC面GaNデバイスの「ムーアの法則の終焉」が期待されます。

 

最高水準の電子移動度

SweGaN社独自の高移動度成長プロセスを使用することで、従来のエピウエハと比較して20~30%高いチャネル電子移動度を達成することができます。チャネルのヘテロ接合は概して原子的に急峻です。HEMTヘテロ構造の表面モルフォロジーは0.2 nmの低い粗さを示し、ピットや欠陥もわずかしか含みません。この最高水準の移動度により、高効率・高動作周波数のトランジスタを実現することができます。

 

応用例

半極性GaNは、グリーンギャップ問題を解決し、高効率な長波長のLEDやLDを生産するために非常に有効です。

車両のヘッドライト、懐中電灯、VR/AR、プロジェクタなど、照明・ディスプレイ用途に適しています。



仕様

 

 

 

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製品メーカー案内

Saphlux社(アメリカ)

2014年、米国イエール大からスピンアウトし現在に至る。
半極性GaNの持つ特色を最大限に活かし、従来のLEDのみならず、次世代Micro LEDにも適用できる技術の開発に積極的に取り組んでいる。

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