SiC パワーデバイス開発・試作サービス
SiC パワーデバイス開発・試作サービスの特長
セラミックフォーラムでは、Ascatron社によるSiC パワーデバイス開発のトータルソリューションを提供しています。
Ascatron社は、4.5KV PiN-Diode（1999年発表）など高耐圧パワーデバイスの豊富な開発実績を持ちます。
・段階：設計→試作→評価→パイロット量産→大規模量産
・開発例：SiC-p領域埋め込み型ダイオード・SiC-IGBT・ SiC-SJ（スーパジャンクション）型MOSFETなど
SiC パワーデバイスの開発・試作の各段階において、お客様のデザインに合わせたサービスを提供します。
また、埋め込みエピキタシー・トレンチ層形成・熱処理・SJ構造形成など、特定プロセスのみでの製造受託も行っています。
※エピキタシー・デバイス試作では、150mmまでのウエハに対応しています
SiC パワーデバイス開発・試作サービスの内容
- SiCパワーデバイス開発受託 （デザインから試作評価まで）
- プロセス内SiCエピキタシー （埋め込みエピキタシー、多層pnジャンクション成膜など）
- トレンチ構造形成（深さ10μm＊幅2μmのトレンチ構造、ボイドなし再成長）
- 酸化膜形成 （蒸着と高温アニールのコンビネーション）
- 金属膜形成 （様々な種類の金属層＋保護層の形成）
Ascatron社 保有設備（一部）
関連製品／サービス
製品メーカー案内
Ascatron社（スウェーデン）
エピタキシーサービスをはじめとして、デバイス設計・パッケージまでの工程を総合的に手がける、SiC専門ファブ。スウェーデンの国営研究機関（ACREO）にて1993年からSiCの研究開発を行っていた組織を母体として、2011年創立。数多くの開発実績をもとにした3DSiCエピタキシャル構造やデバイス設計・プロセス技術など、独自のノウハウと技術を提供している。