ガラス製造技術とワイドギャップ半導体のセラミックフォーラム

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SiC パワーデバイス開発・試作サービス

SiC パワーデバイス開発・試作サービスの特長

セラミックフォーラムでは、Ascatron社によるSiC パワーデバイス開発のトータルソリューションを提供しています。

Ascatron社は、4.5KV PiN-Diode(1999年発表)など高耐圧パワーデバイスの豊富な開発実績を持ちます。

・段階:設計→試作→評価→パイロット量産→大規模量産
・開発例:SiC-p領域埋め込み型ダイオード・SiC-IGBT・ SiC-SJ(スーパジャンクション)型MOSFETなど

SiC パワーデバイスの開発・試作の各段階において、お客様のデザインに合わせたサービスを提供します。
また、埋め込みエピキタシー・トレンチ層形成・熱処理・SJ構造形成など、特定プロセスのみでの製造受託も行っています。

※エピキタシー・デバイス試作では、150mmまでのウエハに対応しています

SiC パワーデバイス開発・試作サービスの内容

  • SiCパワーデバイス開発受託 (デザインから試作評価まで)
  • プロセス内SiCエピキタシー (埋め込みエピキタシー、多層pnジャンクション成膜など)
  • トレンチ構造形成(深さ10μm*幅2μmのトレンチ構造、ボイドなし再成長)
  • 酸化膜形成 (蒸着と高温アニールのコンビネーション)
  • 金属膜形成 (様々な種類の金属層+保護層の形成)

Ascatron社 保有設備(一部)

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製品メーカー案内

スウェーデン Ascatron社

Ascatron社(スウェーデン)

エピタキシーサービスをはじめとして、デバイス設計・パッケージまでの工程を総合的に手がける、SiC専門ファブ。スウェーデンの国営研究機関(ACREO)にて1993年からSiCの研究開発を行っていた組織を母体として、2011年創立。数多くの開発実績をもとにした3DSiCエピタキシャル構造やデバイス設計・プロセス技術など、独自のノウハウと技術を提供している。

当社サービスに関するこんなお悩み・ご相談お待ちしております!
  • SiCやGaN などのワイドギャップ半導体に関して質問がある
  • SiCやGaN ウエハに成膜するエピの仕様を決めたい
  • DLTSの測定に関して詳細を知りたい
  • 結晶評価を行いたい
  • ガラスの分析に関して知りたいことがある
  • ガラス溶解炉の生産性向上のための施策を知りたい
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